论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-9页 |
第1章 绪论 | 第9-14页 |
· nc-Si:H薄膜太阳电池的研究现状 | 第9-12页 |
· nc-Si:H薄膜电池的国外研究现状 | 第9-10页 |
· nc-Si:H薄膜电池的国内研究现状 | 第10-12页 |
· 研究意义与技术路线 | 第12-14页 |
· 研究意义 | 第12页 |
· 实验技术路线 | 第12-14页 |
第2章 实验方法 | 第14-19页 |
· 样品制备 | 第14-15页 |
· 衬底清洗 | 第14页 |
· PECVD系统 | 第14-15页 |
· 样品制备 | 第15页 |
· 分析与测试方法 | 第15-19页 |
· 厚度测量 | 第15-16页 |
· 组分分析 | 第16页 |
· 晶化率计算 | 第16-17页 |
· 光吸收分析 | 第17-18页 |
· 电导率计算 | 第18页 |
· 霍尔测试 | 第18-19页 |
第3章 nc-Si(P):H薄膜的制备及其光电特性 | 第19-34页 |
· PH_3浓度对nc-Si(P)膜的影响 | 第19-29页 |
· 晶化率和晶粒尺寸 | 第19-21页 |
· 生长速率 | 第21-22页 |
· 组分分析 | 第22-25页 |
· 光吸收系数和光学带隙 | 第25-28页 |
· 电学特性 | 第28-29页 |
· 衬底温度对nc-Si(P):H膜的影响 | 第29-33页 |
· 生长速率 | 第30页 |
· 薄膜结构 | 第30-31页 |
· 光学特性 | 第31-32页 |
· 电学特性 | 第32-33页 |
· SiH_4浓度对nc-Si(P):H膜光学带隙的影响 | 第33-34页 |
第4章 nc-Si(B):H薄膜的制备及其光电特性 | 第34-44页 |
· nc-Si(B):H的结构表征 | 第34-39页 |
· B_2H_6浓度对其晶化率和晶粒尺寸的影响 | 第34-35页 |
· B_2H_6浓度对其生长速率的影响 | 第35-36页 |
· B_2H_6浓度对其组分的影响 | 第36-37页 |
· 衬底温度对nc-Si(B):H薄膜晶化率的影响 | 第37-38页 |
· SiH_4浓度对nc-Si(B):H晶化率的影响 | 第38-39页 |
· 射频功率对nc-Si(B):H晶化率的影响 | 第39页 |
· nc-Si(B):H的光学特性 | 第39-42页 |
· B_2H_6浓度对nc-Si(B):H薄膜光吸收系数和光学带隙的影响 | 第39-41页 |
· 衬底温度对光学带隙的影响 | 第41-42页 |
· nc-Si(B):H的电学特性 | 第42-44页 |
· B_2H_6浓度对nc-Si(B):H薄膜电导率的影响 | 第42页 |
· 衬底温度对nc-Si(B):H薄膜电导率的影响 | 第42-43页 |
· 射频功率对nc-Si(B):H薄膜电导率的影响 | 第43-44页 |
第5章 p-i-n太阳电池制备及其光伏特性 | 第44-47页 |
· p(nc-Si:H)/i(nc-Si:H)/n(nc-Si:H)型结构电池的制备 | 第44-45页 |
· i层厚度对电池性能的影响 | 第45-47页 |
第6章 结论 | 第47-49页 |
参考文献 | 第49-53页 |
致谢 | 第53-54页 |
硕士研究生在读期间发表的论文 | 第54
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