论文目录 | |
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 AlGaN/GaN HEMT器件的研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT器件模型研究现状 | 第11-15页 |
| · 小信号建模研究现状 | 第11-13页 |
| · 大信号模型研究现状 | 第13-15页 |
| · 本论文主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件制备和建模方案 | 第17-26页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理 | 第17-21页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT器件结构和2DEG成因 | 第17-18页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN HEMT器件相关电学参数 | 第18-21页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件样品测试 | 第21-23页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件样品制备 | 第21-22页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件样品测试结果 | 第22-23页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT器件建模方案 | 第23-26页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT器件小信号建模 | 第26-49页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路模型的建立 | 第26-36页 |
| · 二端口网络S参数 | 第26-31页 |
| · 小信号等效电路模型的建立 | 第31-34页 |
| · 等效电路元件和物理结构的关系 | 第34-36页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT模型元件参数的提取算法 | 第36-47页 |
| · 寄生参数提取算法 | 第36-42页 |
| · 本征参数提取算法 | 第42-47页 |
| · 模型验证 | 第47-49页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模 | 第49-64页 |
| · 常用的大信号模型 | 第49-50页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT大信号等效电路模型的建立 | 第50-52页 |
| · I-V模型参数拟合 | 第52-57页 |
| · 常用的I-V模型 | 第52-54页 |
| · I-V拟合 | 第54-57页 |
| · C-V模型参数拟合 | 第57-64页 |
| · 常用的C-V模型 | 第57-61页 |
| · C-V拟合 | 第61-64页 |
| 第五章 总结及展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第71
页 |
