论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN材料特性 | 第11-13页 |
| 1.3 GaN功率器件国内外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4 本文构架和主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结器件物理 | 第16-27页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结极化效应与二维电子气形成机理 | 第16-21页 |
| 2.1.1 自发极化与压电极化效应 | 第16-19页 |
| 2.1.2 二维电子气的形成机理 | 第19-21页 |
| 2.2 GaN异质结器件二维电子气调控技术 | 第21-26页 |
| 2.2.1 p-GaN Gate技术 | 第21-22页 |
| 2.2.2 F-plasma ion implantation技术 | 第22-23页 |
| 2.2.3 凹槽栅技术 | 第23-24页 |
| 2.2.4 超薄势垒层技术 | 第24-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 超势垒混合阳极GaN横向功率二极管设计与研制 | 第27-46页 |
| 3.1 混合阳极二极管器件结构与工作原理 | 第27-28页 |
| 3.2 势垒层厚度选择 | 第28-30页 |
| 3.3 超势垒混合阳极二极管(HSD)实现工艺流程 | 第30-33页 |
| 3.4 关键工艺优化 | 第33-43页 |
| 3.4.1 晶圆初始状态测试 | 第33-35页 |
| 3.4.2 二维电子气恢复层材料参数以及刻蚀工艺优化 | 第35-40页 |
| 3.4.3 欧姆接触退火工艺优化 | 第40-43页 |
| 3.5 器件性能测试及分析 | 第43-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 基于超势垒混合阳极GaN二极管的零偏压混频器 | 第46-65页 |
| 4.1 混频器介绍 | 第46-51页 |
| 4.1.1 混频器基本原理 | 第46-48页 |
| 4.1.2 混频器电路的分类 | 第48-49页 |
| 4.1.3 混频器的性能指标 | 第49-51页 |
| 4.2 单端二极管混频器的混频原理 | 第51-53页 |
| 4.3 GaN基HSD零偏压混频器的研制与测试分析 | 第53-63页 |
| 4.3.1 GaN基HSD混频器的设计 | 第54页 |
| 4.3.2 GaN基HSD混频器的制备 | 第54-56页 |
| 4.3.3 GaN基HSD混频器直流特性测试 | 第56-58页 |
| 4.3.4 GaN基HSD混频器RF特性测试 | 第58-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-67页 |
| 5.1 总结 | 第61-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73页 |
