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八英寸铜化学机械研磨工艺对硅片腐蚀的改善

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八英寸铜化学机械研磨工艺对硅片腐蚀的改善
论文目录
 
摘要第1-3页
ABSTRACT第3-9页
1 前言第9-24页
  1.1 引言第9-10页
  1.2 集成电路平坦化工艺简介第10-12页
    1.2.1 集成电路工艺发展对平坦化的要求第10-11页
    1.2.2 集成电路工艺常用的平坦化方法第11页
    1.2.3 化学机械研磨的出现第11-12页
  1.3 集成电路化学机械研磨工艺简介第12-16页
    1.3.1 化学机械研磨技术概况第12-13页
    1.3.2 化学机械研磨的种类第13-14页
    1.3.3 化学机械研磨的工艺参数第14-15页
    1.3.4 化学机械研磨的主要耗材第15页
    1.3.5 化学机械研磨对硅片生产成品率的影响第15-16页
  1.4 铜工艺简介第16-19页
    1.4.1 铜制程工艺简介第16-17页
    1.4.2 铜化学机械研磨的特性第17-18页
    1.4.3 铜化学机械研磨后的典型缺陷第18-19页
  1.5 化学机械研磨后的清洗技术简介第19-20页
  1.6 本论文研究背景与意义第20-22页
    1.6.1 铜化学机械研磨的发展和主要步骤第20-21页
    1.6.2 铜化学机械研磨的常见缺陷第21-22页
    1.6.3 改善铜化学机械研磨工艺特性的意义第22页
  1.7 本论文的研究意义第22-23页
  1.8 本论文的章节安排第23-24页
2 铜化学机械研磨头对腐蚀缺陷的影响分析第24-33页
  2.1 引言第24页
  2.2 腐蚀缺陷原因模式分析第24-25页
  2.3 抛光研磨头清洗器结构与清洗方式第25-27页
    2.3.1 研磨头清洗器的分析第25-26页
    2.3.2 清洗研磨头的步骤第26-27页
  2.4 铜化学机械研磨后的铜表面腐蚀缺陷的产生原因分析第27-28页
  2.5 化学机械研磨头冲洗工艺优化实验设计第28-30页
    2.5.1 实验方法和材料第28-29页
    2.5.2 实验设备第29-30页
    2.5.3 工艺流程的变化说明第30页
  2.6 化学机械研磨头冲洗实验结果分析第30-32页
    2.6.1 研磨头表面的变化第30-31页
    2.6.2 不同冲洗条件的结果第31-32页
  2.7 本章小结第32-33页
3 铜化学机械研磨后硅片预清洗的工艺特性的影响分析第33-39页
  3.1 引言第33页
  3.2 铜化学机械研磨后硅片预清洗的影响第33-34页
  3.3 铜化学机械研磨后硅片预清洗对表面颗粒污染的影响第34页
  3.4 铜化学机械研磨后硅片预清洗的效果第34-38页
    3.4.1 实验设计第34-36页
    3.4.2 实验设备第36-37页
    3.4.3 实验结果第37-38页
  3.5 本章小结第38-39页
4 铜化学机械研磨后硅片边缘清洗效果对成品率的影响分析第39-44页
  4.1 引言第39页
  4.2 清洗装置情况第39-40页
  4.3 化学机械研磨后清洗分析第40页
  4.4 铜化学机械研磨后的清洗改善第40-43页
    4.4.1 实验设计第40-41页
    4.4.2 实验设备第41-42页
    4.4.3 实验结果第42-43页
  4.5 本章小结第43-44页
5 结论与展望第44-46页
  5.1 本文总结第44-45页
  5.2 下一步研究计划和研究展望第45-46页
参考文献第46-48页
致谢第48-49页
攻读学位期间发表的学术论文第49页

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