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八英寸铜化学机械研磨工艺对硅片腐蚀的改善
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八英寸铜化学机械研磨工艺对硅片腐蚀的改善
论文目录
摘要
第1-3页
ABSTRACT
第3-9页
1 前言
第9-24页
1.1 引言
第9-10页
1.2 集成电路平坦化工艺简介
第10-12页
1.2.1 集成电路工艺发展对平坦化的要求
第10-11页
1.2.2 集成电路工艺常用的平坦化方法
第11页
1.2.3 化学机械研磨的出现
第11-12页
1.3 集成电路化学机械研磨工艺简介
第12-16页
1.3.1 化学机械研磨技术概况
第12-13页
1.3.2 化学机械研磨的种类
第13-14页
1.3.3 化学机械研磨的工艺参数
第14-15页
1.3.4 化学机械研磨的主要耗材
第15页
1.3.5 化学机械研磨对硅片生产成品率的影响
第15-16页
1.4 铜工艺简介
第16-19页
1.4.1 铜制程工艺简介
第16-17页
1.4.2 铜化学机械研磨的特性
第17-18页
1.4.3 铜化学机械研磨后的典型缺陷
第18-19页
1.5 化学机械研磨后的清洗技术简介
第19-20页
1.6 本论文研究背景与意义
第20-22页
1.6.1 铜化学机械研磨的发展和主要步骤
第20-21页
1.6.2 铜化学机械研磨的常见缺陷
第21-22页
1.6.3 改善铜化学机械研磨工艺特性的意义
第22页
1.7 本论文的研究意义
第22-23页
1.8 本论文的章节安排
第23-24页
2 铜化学机械研磨头对腐蚀缺陷的影响分析
第24-33页
2.1 引言
第24页
2.2 腐蚀缺陷原因模式分析
第24-25页
2.3 抛光研磨头清洗器结构与清洗方式
第25-27页
2.3.1 研磨头清洗器的分析
第25-26页
2.3.2 清洗研磨头的步骤
第26-27页
2.4 铜化学机械研磨后的铜表面腐蚀缺陷的产生原因分析
第27-28页
2.5 化学机械研磨头冲洗工艺优化实验设计
第28-30页
2.5.1 实验方法和材料
第28-29页
2.5.2 实验设备
第29-30页
2.5.3 工艺流程的变化说明
第30页
2.6 化学机械研磨头冲洗实验结果分析
第30-32页
2.6.1 研磨头表面的变化
第30-31页
2.6.2 不同冲洗条件的结果
第31-32页
2.7 本章小结
第32-33页
3 铜化学机械研磨后硅片预清洗的工艺特性的影响分析
第33-39页
3.1 引言
第33页
3.2 铜化学机械研磨后硅片预清洗的影响
第33-34页
3.3 铜化学机械研磨后硅片预清洗对表面颗粒污染的影响
第34页
3.4 铜化学机械研磨后硅片预清洗的效果
第34-38页
3.4.1 实验设计
第34-36页
3.4.2 实验设备
第36-37页
3.4.3 实验结果
第37-38页
3.5 本章小结
第38-39页
4 铜化学机械研磨后硅片边缘清洗效果对成品率的影响分析
第39-44页
4.1 引言
第39页
4.2 清洗装置情况
第39-40页
4.3 化学机械研磨后清洗分析
第40页
4.4 铜化学机械研磨后的清洗改善
第40-43页
4.4.1 实验设计
第40-41页
4.4.2 实验设备
第41-42页
4.4.3 实验结果
第42-43页
4.5 本章小结
第43-44页
5 结论与展望
第44-46页
5.1 本文总结
第44-45页
5.2 下一步研究计划和研究展望
第45-46页
参考文献
第46-48页
致谢
第48-49页
攻读学位期间发表的学术论文
第49页
本篇论文共
49
页,
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。
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