论文目录 | |
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-32页 |
| 1.1 三维封装技术背景 | 第9-13页 |
| 1.2 铜柱凸点在三维封装中的应用 | 第13-18页 |
| 1.2.1 铜柱凸点的结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2 铜柱凸点的性能 | 第15-16页 |
| 1.2.3 铜柱凸点界面IMC的材料性质 | 第16-18页 |
| 1.3 铜柱凸点小型化对互连可靠性的影响 | 第18-28页 |
| 1.3.1 凸点微型化趋势 | 第18-21页 |
| 1.3.2 界面IMC生长规律研究进展 | 第21-25页 |
| 1.3.3 界面柯肯达尔孔洞研究进展 | 第25-28页 |
| 1.4 合金元素对Cu/Sn界面反应的影响 | 第28-31页 |
| 1.5 本文的研究目的及研究内容 | 第31-32页 |
| 第二章 Cu/Ni/Sn结构电镀工艺及分析方法 | 第32-49页 |
| 2.1 电沉积的基本原理 | 第32-34页 |
| 2.2 Cu/Ni/Sn平面结构的制备 | 第34-40页 |
| 2.2.1 Ni层的电沉积制备及参数优化 | 第35-38页 |
| 2.2.2 Cu层的电沉积制备 | 第38页 |
| 2.2.3 Sn层的电沉积制备 | 第38-39页 |
| 2.2.4 Sn焊料层的腐蚀 | 第39-40页 |
| 2.3 Cu/Ni/Sn微凸点结构的制备 | 第40-46页 |
| 2.3.1 图形化基板的制作流程 | 第40-42页 |
| 2.3.2 铜柱凸点的电沉积制备 | 第42-46页 |
| 2.3.3 时效处理 | 第46页 |
| 2.4 微观组织形貌表征 | 第46-48页 |
| 2.4.1 SEM形貌表征 | 第46-47页 |
| 2.4.2 XRD物相分析 | 第47页 |
| 2.4.3 EDS成分分析 | 第47-48页 |
| 2.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第三章 Sn层完全IMC化前Cu/(Ni)/Sn体系界面反应 | 第49-70页 |
| 3.1 Cu/Sn界面IMC及孔洞生长规律 | 第49-52页 |
| 3.2 薄Ni层厚度对Cu/Sn界面IMC及孔洞生长影响 | 第52-65页 |
| 3.2.1 Cu/100 nm Ni/Sn界面IMC及孔洞生长 | 第51-56页 |
| 3.2.2 Cu/300 nm Ni/Sn界面IMC及孔洞生长 | 第56-60页 |
| 3.2.3 Cu/700 nm Ni/Sn界面IMC及孔洞生长 | 第60-65页 |
| 3.3 薄Ni层对界面IMC的生长动力学的影响 | 第65-68页 |
| 3.3.1 IMC生长动力学理论 | 第65-66页 |
| 3.3.2 Cu/(Ni)/Sn平面结构生长动力学分析 | 第66-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 Sn层完全IMC化后Cu/(Ni)/Sn体系界面反应 | 第70-82页 |
| 4.1 Sn层完全IMC化后IMC生长情况 | 第70-75页 |
| 4.1.1 Sn层完全IMC化后IMC形貌变化 | 第70-73页 |
| 4.1.2 Sn层完全IMC化后IMC物相分析 | 第73-75页 |
| 4.2 Sn层完全IMC化后IMC生长规律 | 第75-77页 |
| 4.3 薄Ni层影响IMC生长机理 | 第77-80页 |
| 4.4 薄Ni层影响孔洞生长分析 | 第80-81页 |
| 4.5 本章小结 | 第81-82页 |
| 第五章 薄Ni层对Cu/Sn微凸点界面反应的影响 | 第82-93页 |
| 5.1 Cu/Ni/Sn微凸点形貌 | 第82-83页 |
| 5.2 Cu/Sn凸点结构界面IMC及孔洞生长情况 | 第83-86页 |
| 5.3 φ5μm Cu/Ni/Sn微凸点界面IMC和孔洞生长情况 | 第86-89页 |
| 5.4 φ5μm微凸点扩散模型 | 第89-92页 |
| 5.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 全文总结和研究展望 | 第93-96页 |
| 6.1 全文总结 | 第93-95页 |
| 6.2 研究展望 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 攻读学位期间的学术成果 | 第108-110页 |
