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射频反应磁控溅射法制备Al2O3薄膜结构与性能的研究

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射频反应磁控溅射法制备Al2O3薄膜结构与性能的研究
论文目录
 
第一章 绪论第14-30 页
  · 引言第14-15 页
  · Al_2O_3薄膜的概述第15-20 页
    · Al_2O_3材料的特性第16-17 页
    · Al_2O_3薄膜的特性和应用第17-20 页
      · 光学领域第18-19 页
      · 机械领域第19 页
      · 微电子领域第19-20 页
  · Al_2O_3薄膜的制备方法第20-25 页
    · 物理气相沉积(PVD)第20-23 页
      · 真空蒸发(VE)第20-21 页
      · 磁控溅射(MS)第21-22 页
      · 离子束辅助沉积(IBAD)第22 页
      · 脉冲激光沉积(PLD)第22-23 页
    · 化学气相沉积(CVD)第23-25 页
      · 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)第23 页
      · 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)第23-24 页
      · 溶胶—凝胶法(Sol—Gel)第24-25 页
  · 薄膜的检测技术第25-28 页
    · 结构分析第25 页
    · 薄膜成分分析第25-26 页
    · 薄膜表面形貌分析第26-27 页
    · 薄膜硬度测量第27-28 页
  · 本文研究内容及意义第28-30 页
第二章 射频(RF)反应磁控溅射制备Al_2O_3薄膜第30-43 页
  · 引言第30 页
  · 溅射基本原理第30-37 页
    · 辉光放电第31-32 页
    · 溅射率第32-35 页
    · 溅射原子的能量和方向第35-36 页
    · 溅射机理第36-37 页
  · 射频(RF)反应磁控溅射镀膜机理第37-39 页
  · 薄膜的沉积过程第39-40 页
  · 射频(RF)反应磁控溅射系统及实验操作步骤第40-41 页
    · 射频(RF)磁控溅射系统第40-41 页
    · 射频(RF)磁控溅射法制备Al_2O_3薄膜的操作步骤第41 页
  · 衬底的清洗方法第41-42 页
  · Al_2O_3薄膜的制备第42 页
  · 本章小结第42-43 页
第三章 工艺参数对室温沉积的Al_2O_3薄膜的结构和沉积速率的影响第43-55 页
  · 引言第43 页
  · Al_2O_3薄膜沉积速率的研究第43-51 页
    · 射频功率对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第44-46 页
    · 溅射气压对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第46-48 页
    · 靶基距对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第48-49 页
    · O_2气流量对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第49-51 页
  · 室温沉积的Al_2O_3薄膜XRD和AFM分析第51-52 页
  · Al_2O_3薄膜的XPS分析第52-53 页
  · 本章小结第53-55 页
第四章 沉积温度对溅射制备Al_2O_3薄膜性能的影响第55-63 页
  · 引言第55 页
  · 沉积温度对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响第55-56 页
  · 不同沉积温度下溅射的Al_2O_3薄膜XRD分析第56-57 页
  · 不同沉积温度下溅射的Al_2O_3薄膜AFM分析第57-61 页
  · 沉积温度对Al_2O_3薄膜的显微硬度影响第61-62 页
  · 本章小结第62-63 页
第五章 退火工艺对不锈钢衬底上溅射沉积的Al_2O_3薄膜的微观结构和性能的影响第63-80 页
  · 引言第63-64 页
  · 非晶Al_2O_3薄膜的制备第64-65 页
    · 不锈钢衬底的准备第64 页
    · 非晶Al_2O_3薄膜的制备过程第64-65 页
  · 非晶Al_2O_3薄膜的退火处理第65-66 页
  · 晶态Al_2O_3薄膜的性能测试第66-67 页
  · 结果与讨论第67-78 页
    · 膜层厚度对Al_2O_3薄膜性能影响第67-70 页
      · XRD分析第67-69 页
      · 显微硬度第69-70 页
    · 退火温度对Al_2O_3薄膜性能影响第70-78 页
      · XRD分析第70-72 页
      · AFM分析第72-77 页
      · 显微硬度第77-78 页
  · 本章小结第78-80 页
第六章 总结与展望第80-82 页
参考文献第82-88 页
硕士期间发表论文情况第88页

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