论文目录 | |
第一章 绪论 | 第14-30
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· 引言 | 第14-15
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· Al_2O_3薄膜的概述 | 第15-20
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· Al_2O_3材料的特性 | 第16-17
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· Al_2O_3薄膜的特性和应用 | 第17-20
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· 光学领域 | 第18-19
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· 机械领域 | 第19
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· 微电子领域 | 第19-20
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· Al_2O_3薄膜的制备方法 | 第20-25
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· 物理气相沉积(PVD) | 第20-23
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· 真空蒸发(VE) | 第20-21
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· 磁控溅射(MS) | 第21-22
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· 离子束辅助沉积(IBAD) | 第22
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· 脉冲激光沉积(PLD) | 第22-23
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· 化学气相沉积(CVD) | 第23-25
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· 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第23
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· 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第23-24
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· 溶胶—凝胶法(Sol—Gel) | 第24-25
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· 薄膜的检测技术 | 第25-28
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· 结构分析 | 第25
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· 薄膜成分分析 | 第25-26
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· 薄膜表面形貌分析 | 第26-27
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· 薄膜硬度测量 | 第27-28
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· 本文研究内容及意义 | 第28-30
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第二章 射频(RF)反应磁控溅射制备Al_2O_3薄膜 | 第30-43
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· 引言 | 第30
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· 溅射基本原理 | 第30-37
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· 辉光放电 | 第31-32
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· 溅射率 | 第32-35
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· 溅射原子的能量和方向 | 第35-36
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· 溅射机理 | 第36-37
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· 射频(RF)反应磁控溅射镀膜机理 | 第37-39
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· 薄膜的沉积过程 | 第39-40
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· 射频(RF)反应磁控溅射系统及实验操作步骤 | 第40-41
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· 射频(RF)磁控溅射系统 | 第40-41
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· 射频(RF)磁控溅射法制备Al_2O_3薄膜的操作步骤 | 第41
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· 衬底的清洗方法 | 第41-42
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· Al_2O_3薄膜的制备 | 第42
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· 本章小结 | 第42-43
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第三章 工艺参数对室温沉积的Al_2O_3薄膜的结构和沉积速率的影响 | 第43-55
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· 引言 | 第43
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· Al_2O_3薄膜沉积速率的研究 | 第43-51
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· 射频功率对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第44-46
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· 溅射气压对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第46-48
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· 靶基距对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第48-49
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· O_2气流量对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第49-51
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· 室温沉积的Al_2O_3薄膜XRD和AFM分析 | 第51-52
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· Al_2O_3薄膜的XPS分析 | 第52-53
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· 本章小结 | 第53-55
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第四章 沉积温度对溅射制备Al_2O_3薄膜性能的影响 | 第55-63
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· 引言 | 第55
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· 沉积温度对Al_2O_3薄膜沉积速率的影响 | 第55-56
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· 不同沉积温度下溅射的Al_2O_3薄膜XRD分析 | 第56-57
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· 不同沉积温度下溅射的Al_2O_3薄膜AFM分析 | 第57-61
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· 沉积温度对Al_2O_3薄膜的显微硬度影响 | 第61-62
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· 本章小结 | 第62-63
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第五章 退火工艺对不锈钢衬底上溅射沉积的Al_2O_3薄膜的微观结构和性能的影响 | 第63-80
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· 引言 | 第63-64
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· 非晶Al_2O_3薄膜的制备 | 第64-65
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· 不锈钢衬底的准备 | 第64
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· 非晶Al_2O_3薄膜的制备过程 | 第64-65
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· 非晶Al_2O_3薄膜的退火处理 | 第65-66
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· 晶态Al_2O_3薄膜的性能测试 | 第66-67
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· 结果与讨论 | 第67-78
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· 膜层厚度对Al_2O_3薄膜性能影响 | 第67-70
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· XRD分析 | 第67-69
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· 显微硬度 | 第69-70
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· 退火温度对Al_2O_3薄膜性能影响 | 第70-78
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· XRD分析 | 第70-72
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· AFM分析 | 第72-77
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· 显微硬度 | 第77-78
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· 本章小结 | 第78-80
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第六章 总结与展望 | 第80-82
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参考文献 | 第82-88
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硕士期间发表论文情况 | 第88页 |