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RTD/HEMT/MSM光电集成研究
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RTD/HEMT/MSM光电集成研究
论文目录
第一章 绪论
第1-13 页
1.1 发展历史及现状
第7-11 页
1.1.1 RTD 的发展历史及现状
第7-9 页
1.1.2 MSM 的发展与现状
第9-10 页
1.1.3 HEMT 的发展与现状
第10-11 页
1.2 待研究的光电逻辑单元电路
第11-12 页
1.3 本论文的任务
第12-13 页
第二章 RTD,HEMT和MSM器件工作原理
第13-23 页
2.1 RTD 的器件原理
第13-17 页
2.1.1 半导体超晶格
第13 页
2.1.2 RTD 的电流特性
第13-16 页
2.1.3 由RTD 发展到RTT
第16 页
2.1.4 RTD 的特点
第16-17 页
2.2 HEMT 的结构及工作原理
第17-19 页
2.3 MSM 光电探测器
第19-23 页
2.3.1 LT-GaAs MSM-PD
第20 页
2.3.2 GaAs HMSM—PD
第20 页
2.3.3 引入内建电场型GaAs MSM-PD
第20-21 页
2.3.4 ITO/GaAs MSM-PD
第21-22 页
2.3.5 窄FW、窄FS 超高速GaAs MSM-PD
第22-23 页
第三章 器件设计模拟与测试
第23-34 页
3.1 RTD 设计
第23-24 页
3.2 RTD 器件模拟
第24-27 页
3.3 HEMT 设计
第27-29 页
3.4 HEMT 器件模拟
第29-32 页
3.5 MSM 设计
第32-34 页
第四章 工艺研制与版图设计
第34-44 页
4.1 单项工艺
第34-42 页
4.1.1 分子束外延技术(MBE)
第34-35 页
4.1.2 低压化学汽相淀积(LPCVD)
第35 页
4.1.3 真空磁控溅射
第35-37 页
4.1.4 光刻
第37-39 页
4.1.5 选择腐蚀技术
第39-40 页
4.1.6 正性抗蚀剂(正胶)与金属剥离工艺
第40-41 页
4.1.7 欧姆接触形成
第41-42 页
4.2 版图
第42-43 页
4.3 RTD 或RTD+HEMT+MSM 工艺流程
第43-44 页
第五章 电路模拟与测试
第44-52 页
5.1 RTD 器件的电路模型
第44-46 页
5.2 RTD 电路特性
第46-49 页
5.3 电路模拟及测试结果
第49-52 页
第六章 总结
第52-54 页
参考文献
第54-57 页
发表论文和科研情况说明
第57-58 页
附录
第58-63 页
致谢
第63 页
本篇论文共
63
页,
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