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GeTe相变薄膜开关特性研究
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GeTe相变薄膜开关特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-11页
第一章 绪论第11-25页
　　1.1 研究背景及意义第11-14页
　　1.2 相变材料研究第14-18页
　　　　1.2.1 相结构第14-15页
　　　　1.2.2 相变原理第15页
　　　　1.2.3 相变材料选择第15-16页
　　　　1.2.4 GeTe薄膜的结构第16-18页
　　1.3 GeTe开关国内外研究现状和趋势第18-24页
　　　　1.3.1 激光诱导第19页
　　　　1.3.2 电脉冲触发第19-22页
　　　　1.3.3 热触发第22-24页
　　1.4 本论文的主要研究内容第24-25页
第二章 实验原理及方法第25-31页
　　2.1 相变薄膜制备第25-27页
　　　　2.1.1 磁控溅射法原理第25-27页
　　　　2.1.2 加热处理第27页
　　2.2 相变薄膜表征及结构测试第27-28页
　　　　2.2.1 成分及微观表面测试第27-28页
　　　　2.2.2 结构测试第28页
　　2.3 电性能测试第28-31页
　　　　2.3.1 四探针测试第28-29页
　　　　2.3.2 霍尔测试第29页
　　　　2.3.3 直流电阻及阻抗测试第29-31页
第三章 开态低电阻率GeTe薄膜的制备第31-39页
　　3.1 非晶GeTe薄膜的制备第31-33页
　　　　3.1.1 薄膜厚度对其均一性的影响第31-32页
　　　　3.1.2 溅射压强对Ge-Te薄膜元素含量的影响第32-33页
　　3.2 晶化GeTe薄膜制备第33-36页
　　　　3.2.1 晶态GeTe薄膜的制备方式第33-35页
　　　　3.2.2 退火温度对晶态电阻率的影响第35页
　　　　3.2.3 Ge、Te原子比例对薄膜电阻率的影响第35-36页
　　3.3 沉积速率对c-GeTe薄膜电阻率的影响第36-37页
　　3.4 本章小结第37-39页
第四章 GeTe薄膜开关特性研究第39-50页
　　4.1 GeTe薄膜的结构第39-42页
　　　　4.1.1 XRD分析第39页
　　　　4.1.2 拉曼分析第39-40页
　　　　4.1.3 GeTe相变薄膜的XPS结果第40-41页
　　　　4.1.4 结构分析第41-42页
　　4.2 电性能和热致变结晶过程分析第42-45页
　　　　4.2.1 R-T曲线分析第42-43页
　　　　4.2.2 结晶率和结晶速率分析第43-45页
　　4.3 变温霍尔测试分析第45-46页
　　4.4 交流阻抗谱分析第46-48页
　　4.5 本章小结第48-50页
第五章 微波相变开关的设计与仿真第50-58页
　　5.1 引言第50页
　　5.2 微波相变开关的主要性能参数第50页
　　5.3 电磁仿真-HFSS第50-54页
　　　　5.3.1 仿真参数设计第51-52页
　　　　5.3.2 GeTe薄膜尺寸对器件传输性能的影响第52-54页
　　5.4 热电仿真-COMSOL有限元模拟第54-57页
　　　　5.4.1 热电仿真开关结构第54-55页
　　　　5.4.2 电压值对晶态GeTe及器件温度的影响第55-56页
　　　　5.4.3 电压值对非晶态GeTe及器件温度的影响第56-57页
　　5.5 本章小结第57-58页
第六章 相变开关的制作与测试第58-72页
　　6.1 GeTe化学性质探究第58-59页
　　6.2 掩膜版设计及光刻工艺流程简介第59-63页
　　　　6.2.1 光刻工艺及薄膜图案化第60-62页
　　　　6.2.2 掩膜版的设计第62-63页
　　6.3 各薄膜层的制备及图案化第63-69页
　　　　6.3.1 加热层的制备及图案化第63页
　　　　6.3.2 隔离层的制备及图案化第63-65页
　　　　6.3.3 电极和传输线的制备及图案化第65-66页
　　　　6.3.4 相变材料的制备及图案化第66-69页
　　6.4 器件开关性能的测试第69-70页
　　6.5 器件微波性能的测试第70-71页
　　6.6 本章小结第71-72页
第七章 全文总结与展望第72-74页
　　7.1 结论第72-73页
　　7.2 展望第73-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-79页
攻读硕士学位期间取得的成果第79页

本篇论文共79页，点击这进入下载页面。
 
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