低维复合材料光电探测器 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-6页 | | abstract | 第6-11页 | | 第一章 绪论 | 第11-29页 | | 1.1 引言 | 第11页 | | 1.2 光电探测器的概述 | 第11-19页 | | 1.2.1 光电探测的发展 | 第11-13页 | | 1.2.2 光电探测器的品质因数 | 第13-14页 | | 1.2.3 光电探测器的工作原理 | 第14-18页 | | 1.2.4 光电探测器的低维材料 | 第18-19页 | | 1.3 石墨烯光电探测器概述 | 第19-27页 | | 1.3.1 石墨烯的光电性能 | 第19-21页 | | 1.3.2 石墨烯光电探测器的结构 | 第21-24页 | | 1.3.3 石墨烯光电探测器的研究现状 | 第24-25页 | | 1.3.4 石墨烯光电探测器的工作原理 | 第25-27页 | | 1.4 论文的研究内容与章节安排 | 第27-29页 | | 1.4.1 论文的研究内容 | 第27页 | | 1.4.2 论文的章节安排 | 第27-29页 | | 第二章 大面积石墨烯薄膜的制备及转移 | 第29-44页 | | 2.1 引言 | 第29页 | | 2.2 实验部分 | 第29-34页 | | 2.2.1 材料与设备 | 第29-30页 | | 2.2.2 表征 | 第30-31页 | | 2.2.3 石墨烯的制备 | 第31-32页 | | 2.2.4 石墨烯的无损转移 | 第32-34页 | | 2.3 石墨烯的制备工艺研究 | 第34-38页 | | 2.3.1 石墨烯的生长原理 | 第34-35页 | | 2.3.2 生长温度对石墨烯形貌的影响 | 第35-36页 | | 2.3.3 生长时间对石墨烯形貌的影响 | 第36-38页 | | 2.4 石墨烯薄膜的特征 | 第38-42页 | | 2.4.1 光学显微镜分析 | 第39页 | | 2.4.2 原子力显微镜 | 第39-40页 | | 2.4.3 扫描电子显微镜 | 第40-41页 | | 2.4.4 拉曼光谱 | 第41-42页 | | 2.5 本章小结 | 第42-44页 | | 第三章 石墨烯光电探测器的制备和性能研究 | 第44-55页 | | 3.1 引言 | 第44页 | | 3.2 实验部分 | 第44-49页 | | 3.2.1 实验材料和设备 | 第44-45页 | | 3.2.2 石墨烯光电探测器光刻工艺 | 第45-48页 | | 3.2.3 石墨烯光电探测器制备的器件 | 第48-49页 | | 3.3 石墨烯光电探测器器件的电学性能研究 | 第49-52页 | | 3.3.1 器件中石墨烯的电阻测试 | 第49-50页 | | 3.3.2 器件的双极转移特性曲线 | 第50-52页 | | 3.4 石墨烯光电探测器器件的光学性能研究 | 第52-54页 | | 3.4.1 器件的光学性能测试 | 第52-53页 | | 3.4.2 温度对器件光学性能的影响 | 第53-54页 | | 3.5 本章小结 | 第54-55页 | | 第四章 PbS/TiO_2/G光电探测器的制备与性能研究 | 第55-67页 | | 4.1 引言 | 第55-56页 | | 4.2 实验部分 | 第56-59页 | | 4.2.1 实验材料和设备 | 第56-57页 | | 4.2.2 PbS/TiO_2/G复合材料薄膜制备 | 第57-58页 | | 4.2.3 PbS/TiO_2/G光电探测器的制备 | 第58-59页 | | 4.3 结果讨论和分析 | 第59-65页 | | 4.3.1 PbS纳米材料表征 | 第59-62页 | | 4.3.2 PbS/TiO_2/G光电探测器的性能 | 第62-65页 | | 4.4 本章小结 | 第65-67页 | | 第五章 总结与展望 | 第67-69页 | | 5.1 总结 | 第67页 | | 5.2 展望 | 第67-69页 | | 致谢 | 第69-70页 | | 参考文献 | 第70-78页 | | 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第78页 |
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