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MoS
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/Si pn结的制备及其光探测性能研究
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MoS
2
/Si pn结的制备及其光探测性能研究
论文目录
摘要
第1-7页
abstract
第7-11页
第一章 绪论
第11-20页
1.1 前言
第11-13页
1.2 常用的MoS_2薄膜制备技术
第13-16页
1.2.1 物理气相沉积技术
第13-14页
1.2.2 化学气相沉积
第14-15页
1.2.3 制备方法特点分析
第15-16页
1.3 薄膜的微观结构表征方法
第16-20页
1.3.1 拉曼光谱
第16页
1.3.2 X射线衍射
第16-17页
1.3.3 X射线光电子能谱分析
第17-18页
1.3.4 紫外光电子能谱
第18-20页
第二章 pn结型光电器件的理论及研究现状
第20-27页
2.1 pn结的能带理论
第20-21页
2.2 pn结光伏特性
第21-22页
2.3 pn结型太阳电池的主要技术参数
第22-23页
2.3.1 开路电压
第22页
2.3.2 短路电流
第22页
2.3.3 填充因子
第22-23页
2.3.4 太阳电池的转换效率
第23页
2.4 pn结型自驱动光电探测器主要性能参数
第23-24页
2.4.1 量子效率
第23-24页
2.4.2 响应度和探测度
第24页
2.4.3 响应时间
第24页
2.5 MoS_2在光电器件领域的应用
第24-26页
2.5.1 太阳能电池
第24-25页
2.5.2 自驱动光电探测器
第25-26页
2.6 本论文的主要内容
第26-27页
第三章 MoS_2/Si pn结的制备
第27-39页
3.1 引言
第27页
3.2 MoS_2薄膜的制备
第27-29页
3.2.1 制膜设备介绍
第27-28页
3.2.2 靶材的制备
第28页
3.2.3 基片的预处理
第28-29页
3.2.4 薄膜沉积过程
第29页
3.3 MoS_2薄膜的微观结构表征
第29-34页
3.4 MoS_2电学性能测试
第34-38页
3.5 本章小结
第38-39页
第四章 MoS_2/Si pn结的光探测性能研究
第39-66页
4.1 前言
第39-40页
4.2 MoS_2/Si器件自驱动光探测性能影响的研究
第40-50页
4.3 Pd掺杂对器件自驱动光探测性能影响的研究
第50-61页
4.4 ITO/Pd:MoS_2/SiO2/Si器件自驱动光探测性能研究
第61-64页
4.5 本章小结
第64-66页
结论与展望
第66-68页
结论
第66页
展望
第66-68页
参考文献
第68-76页
攻读硕士学位期间的取得的学术成果
第76-78页
致谢
第78页
本篇论文共
78
页,
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。
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