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感光栅极调控2DEG的GaN基HEMT的制备与研究

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感光栅极调控2DEG的GaN基HEMT的制备与研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-19页
  1.1 引言第9页
  1.2 PZT简介及应用进展第9-11页
  1.3 GaN基HEMT探测器件简介与研究进展第11-15页
  1.4 感光栅极的GaN基HEMT器件的提出与工作机理第15-17页
  1.5 论文的选题与研究方案第17-19页
第2章 感光栅PZT薄膜的制备与表征方法第19-27页
  2.1 铁电薄膜的制备方法第19-20页
  2.2 磁控溅射沉积系统第20-21页
  2.3 PZT薄膜表征方法第21-23页
    2.3.1 台阶仪第21-22页
    2.3.2 X射线衍射XRD第22页
    2.3.3 扫描电子显微镜SEM第22-23页
    2.3.4 聚焦离子束FIB第23页
    2.3.5 光谱特性第23页
  2.4 PZT薄膜电学性能测试第23-24页
    2.4.1 铁电性第23-24页
    2.4.2 漏电流第24页
  2.5 本章小结第24-27页
第3章 感光栅PZT薄膜的制备工艺及性能研究第27-49页
  3.1 PZT薄膜的制备第27-33页
    3.1.1 PZT薄膜制备工艺流程第27页
    3.1.2 溅射功率和气压分别对PZT薄膜速率的影响第27-32页
    3.1.3 多种下电极上的PZT薄膜的制备与退火后表面形貌第32-33页
  3.2 PZT薄膜的结晶化研究第33-42页
    3.2.1 不同厚度PZT薄膜结晶的影响第33-38页
    3.2.2 不同厚度PZT薄膜的退火结晶化表面形貌分析第38-40页
    3.2.3 PZT薄膜退火晶化时出现的现象第40-42页
  3.3 PZT薄膜性能研究第42-47页
    3.3.1 下电极对PZT薄膜铁电性的影响第42-43页
    3.3.2 下电极对PZT薄膜漏电流的影响第43-44页
    3.3.3 厚度对PZT薄膜铁电性的影响第44-45页
    3.3.4 厚度对PZT薄膜吸光谱的影响第45-47页
  3.4 本章小结第47-49页
第4章 感光栅极的GaN基HEMT器件设计与工艺制备第49-61页
  4.1 感光栅极的GaN基HEMT器件工艺流程第49页
  4.2 HEMT栅极版图研究与设计第49-50页
  4.3 感光栅极的GaN基HEMT器件工艺制备第50-59页
    4.3.1 外延片参数及清洗工艺第50-51页
    4.3.2 光刻套刻工艺研究第51-53页
    4.3.3 有源区隔离及SiO2保护台面工艺第53-55页
    4.3.4 源漏欧姆接触电极的制备第55-56页
    4.3.5 栅极的制备第56-57页
    4.3.6 感光栅PZT薄膜的溅射制备第57-58页
    4.3.7 感光栅PZT薄膜上电极制备第58-59页
  4.4 本章小结第59-61页
第5章 感光栅极的GaN基HEMT器件感光测试第61-71页
  5.1 器件的光探测第61-67页
    5.1.1 无感光栅器件的光探测测试与分析第61-64页
    5.1.2 感光栅器件的光探测测试与分析第64-67页
  5.2 器件的热辐射探测第67-69页
  5.3 本章小结第69-71页
结论第71-73页
参考文献第73-77页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第77-79页
致谢第79页

本篇论文共79页,点击这进入下载页面
 
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