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忆阻器件动力学行为研究
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忆阻器件动力学行为研究
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-7页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-23页
　　· 第四种电路基本元件第9-11页
　　· Memristor的定义第11-12页
　　· Memristor的实现第12-14页
　　　　· 阻变存储器(RRAM)第12-13页
　　　　· 自旋忆阻器(Spintronic Memristor)第13页
　　　　· 忆容与忆感(Memcapcitor and meminductors)第13-14页
　　· 惠普忆阻模型与器件第14-16页
　　· Memristor的应用第16-19页
　　　　· 存储第16-17页
　　　　· 模拟突触第17-19页
　　· 阻变的基本实验现象与分类第19页
　　· 本论文工作的意义、目的和内容第19-21页
　　参考文献第21-23页
第二章 忆阻器件的基本模型第23-36页
　　· 再论忆阻的定义第23-25页
　　　　· 忆阻与阻变等同吗第23-24页
　　　　· 滞后回线第24-25页
　　· 阻变与相变的相似性第25-30页
　　　　· 表象变换第25-26页
　　　　· 相变第26-27页
　　　　· 电荷驱动相变第27-29页
　　　　· 为什么会有形成过程(Forming Step)第29页
　　　　· 对称性破缺第29-30页
　　· 相图举例第30-32页
　　　　· TiO_2第30-31页
　　　　· AgGeSe第31页
　　　　· GST第31-32页
　　· 畴第32-34页
　　参考文献第34-36页
第三章 铟锡氧化物的制备及表征第36-45页
　　· 薄膜材料的制备工艺第36-38页
　　　　· 磁控溅射沉积第36-37页
　　　　· 脉冲激光沉积第37-38页
　　· 铟锡氧化物第38-39页
　　· 非晶ITO薄膜的制备第39页
　　· 非晶铟锡氧化物(ITO)结构表征第39-42页
　　· 测试系统第42页
　　· IV特性曲线第42-44页
　　参考文献第44-45页
第四章 忆阻的动力学行为第45-58页
　　· 平衡位置的运动第45-46页
　　· 阻尼振动第46-48页
　　· 越过平衡位置第48-53页
　　　　· Memristor连续动力学过程第48-51页
　　　　· 强场响应第51-53页
　　· 忆阻动力学与畴第53-55页
　　　　· 可逆过程与不可逆过程第54-55页
　　　　· Barkhausen效应第55页
　　· 本章小结第55-57页
　　参考文献第57-58页
第五章 结论与展望第58-60页
　　· 结论第58页
　　· 展望第58-60页
Publication List第60-61页
致谢第61-62页

本篇论文共62页，点击这进入下载页面。
 
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