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CMOS全局曝光像元设计

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CMOS全局曝光像元设计
论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-16页
  1.1 半导体图像传感器发展概述第8-10页
  1.2 CMOS全局曝光像元发展第10-15页
    1.2.1 电荷域全局曝光像元第11-12页
    1.2.2 电压域全局曝光像元第12-15页
  1.3 本文工作内容第15-16页
第二章 CMOS全局曝光像元物理基础第16-25页
  2.1 CMOS全局曝光像元的组成第16-18页
    2.1.1 感光单元第16-17页
    2.1.2 像素级电路第17-18页
  2.2 CMOS全局曝光像元基本结构第18-19页
  2.3 VPS像元物理基础第19-24页
    2.3.1 浮栅MOS电容第19-21页
    2.3.2 浮栅放大器第21-24页
  2.4 本章小结第24-25页
第三章 全局曝光像元设计第25-49页
  3.1 像元结构和工作原理第25-27页
    3.1.1 像元结构第25-26页
    3.1.2 像元工作模式第26-27页
  3.2 像元优化设计第27-38页
    3.2.1 感光晶体管优化设计第27-30页
    3.2.2 浮栅源极跟随器优化设计第30-35页
    3.2.3 采样晶体管和复位晶体管优化设计第35-38页
  3.3 像元电学串扰分析第38-41页
  3.4 像元功能验证及工艺流程第41-48页
  3.5 本章小结第48-49页
第四章 全局曝光像元光学性能优化第49-57页
  4.1 像元探测效率模拟第49-51页
  4.2 微透镜优化第51-52页
  4.3 像元角响应度第52-54页
  4.4 像元光学串扰优化第54-56页
  4.5 本章小结第56-57页
第五章 总结与展望第57-59页
  5.1 本文工作总结第57-58页
  5.2 下一步工作展望第58-59页
参考文献第59-65页
发表论文和取得科研成果第65-66页
致谢第66-67页

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