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p-GaN帽层增强型GaN HEMT器件栅结构与钝化研究

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p-GaN帽层增强型GaN HEMT器件栅结构与钝化研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 绪论第11-21页
  1.1 GaN的材料特性第11-12页
  1.2 AlGaN/GaN异质结第12-15页
    1.2.1 极化效应第12-14页
    1.2.2 AlGaN/GaN HEMT功率电子器件第14-15页
  1.3 增强型GaN HEMT器件第15-18页
    1.3.1 增强型GaN HEMT器件的研究意义第15-16页
    1.3.2 凹栅结构第16页
    1.3.3 F离子注入技术第16-17页
    1.3.4 p型栅帽层技术第17页
    1.3.5 电路级联结构(Cascode)第17-18页
  1.4 国内外研究和产业现状第18-19页
    1.4.1 GaN基功率电子器件国内外研究和产业现状第18-19页
    1.4.2 p-GaN栅帽层增强型HEMT器件研究现状第19页
  1.5 本论文的研究内容及安排第19-21页
第二章 p-GaN栅帽层增强型HEMT设计及性能仿真第21-31页
  2.1 仿真软件Silvaco TCAD概述第21-22页
  2.2 ATLAS器件仿真概述第22-23页
  2.3 器件模拟的基本物理数学模型与器件结构设计第23-26页
    2.3.1 载流子生成-复合模型第23页
    2.3.2 极化模型第23-24页
    2.3.3 Newton迭代法第24页
    2.3.4 模拟仿真的器件结构第24-26页
  2.4 不同结构参数对器件性能的影响第26-29页
    2.4.1 Al_xGa_(1-x)N势垒层厚度第26页
    2.4.2 势垒层Al组分第26-27页
    2.4.3 p-GaN帽层空穴浓度第27-28页
    2.4.4 栅极金属的影响第28-29页
  2.5 本章小结第29-31页
第三章 p-GaN栅帽层增强型HEMT研究第31-39页
  3.1 p-GaN栅帽层增强型HEMT制备工艺第31-35页
  3.2 p-GaN栅帽层增强型HEMT器件电学特性第35-38页
    3.2.1 直流特性第35-36页
    3.2.2 空穴积累模型第36-37页
    3.2.3 变频C-V第37-38页
  3.3 本章小结第38-39页
第四章 p-GaN栅帽层增强型HEMT钝化层影响研究第39-47页
  4.1 p-GaN栅帽层增强型HEMT钝化层研究意义第39页
  4.2 p-GaN栅帽层增强型HEMT钝化层制备工艺第39-41页
  4.3 p-GaN栅帽层增强型HEMT器件钝化层可靠性研究第41-46页
    4.3.1 静态测试第41-42页
    4.3.2 变温脉冲测试第42-44页
    4.3.3 动态电阻测试第44-45页
    4.3.4 低频噪声测试第45-46页
  4.4 本章小结第46-47页
第五章 总结与展望第47-50页
  5.1 论文的主要内容总结第47-48页
  5.2 研究展望第48-50页
参考文献第50-55页
发表论文目录第55-56页
致谢第56-57页

本篇论文共57页,点击这进入下载页面
 
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