论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-21页 |
1.1 GaN的材料特性 | 第11-12页 |
1.2 AlGaN/GaN异质结 | 第12-15页 |
1.2.1 极化效应 | 第12-14页 |
1.2.2 AlGaN/GaN HEMT功率电子器件 | 第14-15页 |
1.3 增强型GaN HEMT器件 | 第15-18页 |
1.3.1 增强型GaN HEMT器件的研究意义 | 第15-16页 |
1.3.2 凹栅结构 | 第16页 |
1.3.3 F离子注入技术 | 第16-17页 |
1.3.4 p型栅帽层技术 | 第17页 |
1.3.5 电路级联结构(Cascode) | 第17-18页 |
1.4 国内外研究和产业现状 | 第18-19页 |
1.4.1 GaN基功率电子器件国内外研究和产业现状 | 第18-19页 |
1.4.2 p-GaN栅帽层增强型HEMT器件研究现状 | 第19页 |
1.5 本论文的研究内容及安排 | 第19-21页 |
第二章 p-GaN栅帽层增强型HEMT设计及性能仿真 | 第21-31页 |
2.1 仿真软件Silvaco TCAD概述 | 第21-22页 |
2.2 ATLAS器件仿真概述 | 第22-23页 |
2.3 器件模拟的基本物理数学模型与器件结构设计 | 第23-26页 |
2.3.1 载流子生成-复合模型 | 第23页 |
2.3.2 极化模型 | 第23-24页 |
2.3.3 Newton迭代法 | 第24页 |
2.3.4 模拟仿真的器件结构 | 第24-26页 |
2.4 不同结构参数对器件性能的影响 | 第26-29页 |
2.4.1 Al_xGa_(1-x)N势垒层厚度 | 第26页 |
2.4.2 势垒层Al组分 | 第26-27页 |
2.4.3 p-GaN帽层空穴浓度 | 第27-28页 |
2.4.4 栅极金属的影响 | 第28-29页 |
2.5 本章小结 | 第29-31页 |
第三章 p-GaN栅帽层增强型HEMT研究 | 第31-39页 |
3.1 p-GaN栅帽层增强型HEMT制备工艺 | 第31-35页 |
3.2 p-GaN栅帽层增强型HEMT器件电学特性 | 第35-38页 |
3.2.1 直流特性 | 第35-36页 |
3.2.2 空穴积累模型 | 第36-37页 |
3.2.3 变频C-V | 第37-38页 |
3.3 本章小结 | 第38-39页 |
第四章 p-GaN栅帽层增强型HEMT钝化层影响研究 | 第39-47页 |
4.1 p-GaN栅帽层增强型HEMT钝化层研究意义 | 第39页 |
4.2 p-GaN栅帽层增强型HEMT钝化层制备工艺 | 第39-41页 |
4.3 p-GaN栅帽层增强型HEMT器件钝化层可靠性研究 | 第41-46页 |
4.3.1 静态测试 | 第41-42页 |
4.3.2 变温脉冲测试 | 第42-44页 |
4.3.3 动态电阻测试 | 第44-45页 |
4.3.4 低频噪声测试 | 第45-46页 |
4.4 本章小结 | 第46-47页 |
第五章 总结与展望 | 第47-50页 |
5.1 论文的主要内容总结 | 第47-48页 |
5.2 研究展望 | 第48-50页 |
参考文献 | 第50-55页 |
发表论文目录 | 第55-56页 |
致谢 | 第56-57页 |