二维g-C2N和XT2半导体及异质结构的电子结构研究 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-5页 | | abstract | 第5-8页 | | 第一章 绪论 | 第8-22页 | | 1.1 二维材料简介 | 第8-11页 | | 1.1.1 异质结构 | 第8-10页 | | 1.1.2 磁致电阻 | 第10-11页 | | 1.2 新型二维材料g-C_2N | 第11-13页 | | 1.3 新型二维材料硼烯 | 第13-17页 | | 1.3.1 原子结构 | 第13-14页 | | 1.3.2 各向异性 | 第14-16页 | | 1.3.3 硼烯纳米带 | 第16-17页 | | 1.4 过渡金属硫化物XT | 第17-18页 | | 1.5 过渡金属碳化物X_2C | 第18-19页 | | 1.6 二维材料与金属的接触电阻 | 第19-20页 | | 1.7 二维材料的研究意义 | 第20页 | | 1.8 本论文的主要工作 | 第20-22页 | | 第二章 理论和研究方法 | 第22-25页 | | 2.1 基础理论 | 第22-23页 | | 2.1.1 密度泛函理论 | 第22页 | | 2.1.2 异质结构和空间群 | 第22页 | | 2.1.3 交换关联能和广义梯度近似 | 第22页 | | 2.1.4 赝势和投影缀加波 | 第22页 | | 2.1.5 截断能 | 第22-23页 | | 2.1.6 布里渊区和高对称点 | 第23页 | | 2.1.7 自旋-轨道耦合和范德瓦尔斯力 | 第23页 | | 2.1.8 应变效应、电场效应和吸附 | 第23页 | | 2.2 研究方法 | 第23-25页 | | 第三章 二维半导体g-C_2N吸附过渡金属的电子结构 | 第25-33页 | | 3.1 介绍和研究方法 | 第25-26页 | | 3.2 结果与讨论 | 第26-32页 | | 3.2.1 二维g-C_2N吸附不同TM原子 | 第27-30页 | | 3.2.2 二维g-C_2N吸附不同浓度Fe原子 | 第30-32页 | | 3.3 本章小结 | 第32-33页 | | 第四章 二维范德瓦尔斯MoTe_2/WTe_2异质结构的应力和电场效应 | 第33-41页 | | 4.1 介绍和研究方法 | 第33-34页 | | 4.2 结果与讨论 | 第34-40页 | | 4.2.1 应力效应 | 第35-38页 | | 4.2.2 电场效应 | 第38-40页 | | 4.3 本章小结 | 第40-41页 | | 第五章 电场对g-C_2N/XSe_2(X=Mo、W)异质结构的电子结构的影响 | 第41-47页 | | 5.1 介绍和研究方法 | 第41-42页 | | 5.2 结果与讨论 | 第42-46页 | | 5.3 本章小结 | 第46-47页 | | 第六章 结论、创新点和展望 | 第47-49页 | | 6.1 本论文的主要结论 | 第47页 | | 6.2 本论文的创新点 | 第47-48页 | | 6.3 后续研究工作的展望 | 第48-49页 | | 参考文献 | 第49-56页 | | 发表论文和科研情况说明 | 第56-57页 | | 致谢 | 第57页 |
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