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Al、Al/N共掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算

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Al、Al/N共掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-10页
1 绪论第10-24页
  1.1 引言第10页
  1.2 本征半导体SiC第10-12页
    1.2.1 SiC的晶体结构第10-11页
    1.2.2 SiC的晶体的性能与应用第11-12页
  1.3 一维纳米材料概述第12-16页
    1.3.1 一维纳米材料种类第12-13页
    1.3.2 一维纳米材料的性能与应用第13-14页
    1.3.3 SiC一维纳米材料概述第14-16页
  1.4 SiC一维纳米材料的场发射性能第16-20页
    1.4.1 场发射的基本原理第16页
    1.4.2 场发射的理论研究第16-17页
    1.4.3 SiC一维纳米材料场发射研究现状第17-18页
    1.4.4 SiC的掺杂第18-20页
  1.5 密度泛函理论第20-21页
    1.5.1 密度泛函理论简介第20页
    1.5.2 Hohenburg-Kohn理论第20-21页
  1.6 本文选题依据、主要研究内容及创新点第21-24页
    1.6.1 选题依据第21-22页
    1.6.2 主要研究内容第22-23页
    1.6.3 主要创新点第23-24页
2 实验部分第24-33页
  2.1 实验仪器第24页
  2.2 实验材料第24-25页
  2.3 实验方法第25-29页
    2.3.1 原料的预处理第25-26页
    2.3.2 一步法制备Al掺杂SiC纳米线第26-27页
    2.3.3 两步法制备Al/N共掺杂SiC纳米线第27-28页
    2.3.4 一步法制备Al/N共掺杂SiC纳米线第28-29页
  2.4 制备材料表征第29-32页
    2.4.1 产物的成分分析和形貌表征第29-30页
    2.4.2 场发射性能测试第30-32页
  2.5 Al或Al/N共掺杂SiC纳米线第一性原理计算第32-33页
3 Al掺杂SiC纳米线的制备及场发射性能研究第33-52页
  3.1 引言第33页
  3.2 反应温度对Al掺杂SiC纳米线的形貌及场发射性能的影响第33-38页
    3.2.1 工艺参数设置第33-34页
    3.2.2 反应温度对产物的场发射性能的影响第34-35页
    3.2.3 典型产物的表征第35-38页
  3.3 保温时间对Al掺杂SiC纳米线形貌及场发射性能的影响研究第38-42页
    3.3.1 工艺参数设置第38页
    3.3.2 保温时间对产物的场发射性能影响第38-39页
    3.3.3 典型产物的表征第39-42页
  3.4 原料质量比对Al掺杂SiC纳米线形貌及场发射性能的影响研究第42-46页
    3.4.1 工艺参数设置第42-43页
    3.4.2 原料质量比对产物场发射性能的影响第43页
    3.4.3 产物的典型表征第43-46页
  3.5 纳米线网包覆的Al掺杂SiC纳米线的表征第46-51页
  3.6 本章小结第51-52页
4 两步法制备Al/N共掺杂SiC纳米线及其场发射性能研究第52-59页
  4.1 引言第52页
  4.2 掺氮温度对Al/N共掺杂SiC纳米线及其场发射性能的影响第52-54页
    4.2.1 工艺参数第52-53页
    4.2.2 不同掺氮温度对Al/N共掺杂SiC纳米线场发射性能第53-54页
  4.3 掺氮时间对Al/N共掺杂SiC纳米线及其场发射性能的影响第54-56页
    4.3.1 工艺参数第54-55页
    4.3.2 不同掺氮时间对Al/N共掺杂SiC纳米线场发射性能第55-56页
  4.4 最优掺杂工艺条件下,Al/N共掺杂SiC纳米线的表征第56-58页
  4.5 本章小结第58-59页
5 一步法制备Al/N共掺杂SiC纳米线及其场发射性能研究第59-76页
  5.1 前言第59页
  5.2 原料配比对Al/N共掺杂SiC纳米线形貌及场发射性能的影响研究第59-64页
    5.2.1 工艺参数第59-60页
    5.2.2 原料质量比对产物场发射性能的影响第60-61页
    5.2.3 典型产物的表征第61-64页
  5.3 反应温度对Al/N共掺杂SiC纳米线形貌及场发射性能的影响第64-68页
    5.3.1 工艺参数第64页
    5.3.2 反应温度对产物场发射性能的影响第64-65页
    5.3.3 典型产物的表征第65-68页
  5.4 保温时间对Al/N共掺杂SiC纳米线的影响第68-72页
    5.4.1 工艺参数第68页
    5.4.2 保温时间对Al/N共掺杂SiC纳米线场发射性能的影响第68-69页
    5.4.3 典型产物的表征第69-72页
  5.5 优选工艺条件下Al/N共掺杂SiC纳米线的表征第72-74页
  5.6 结论第74-76页
6 Al、Al/N共掺杂SiC能带及态密度分析第76-85页
  6.1 引言第76页
  6.2 Al和Al/N共掺杂SiC第一性原理计算方法第76页
  6.3 Al掺杂SiC的DFT计算及分析第76-81页
    6.3.1 Al掺杂SiC的模型构建第76-77页
    6.3.2 Al掺杂SiC的能带结构和态密度第77-80页
    6.3.3 Al掺杂增强SiC场发射性能的机理第80-81页
  6.4 .Al/N共掺杂SiC的DFT计算及分析第81-84页
    6.4.1 Al/N共掺杂SiC的模型构建第81-82页
    6.4.2 Al/N共掺杂SiC的能带结构第82-83页
    6.4.3 Al/N共掺杂增强SiC场发射性能的机理第83-84页
  6.5 本章小结第84-85页
7 结论第85-86页
参考文献第86-92页
致谢第92-93页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第93-94页

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