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半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究
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半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-12页
第1章 绪论第12-26页
　　1.1 碳化硅的基本性质第12-14页
　　1.2 SiC粉末制备的研究现状第14-18页
　　　　1.2.1 机械粉碎法第15-16页
　　　　1.2.2 合成法第16-18页
　　　　1.2.3 小结第18页
　　1.3 碳化硅的成型工艺第18-20页
　　　　1.3.1 模压成型第18-19页
　　　　1.3.2 等静压成型第19页
　　　　1.3.3 注浆成型第19-20页
　　　　1.3.4 小结第20页
　　1.4 碳化硅陶瓷的烧结工艺第20-23页
　　　　1.4.1 反应烧结第20-21页
　　　　1.4.2 重结晶烧结第21页
　　　　1.4.3 等离子体电火花烧结第21-22页
　　　　1.4.4 热压烧结第22页
　　　　1.4.5 热等静压烧结第22页
　　　　1.4.6 高压烧结第22-23页
　　　　1.4.7 小结第23页
　　1.5 本文的研究内容及技术路线第23-25页
　　　　1.5.1 本文的研究内容第23-24页
　　　　1.5.2 本文的技术路线第24-25页
　　1.6 本章小结第25-26页
第2章 半导体制造业用碳化硅微纳米粉体制备工艺研究第26-35页
　　2.1 实验材料、分析测试方法、设备原理第26-28页
　　　　2.1.1 实验材料第26页
　　　　2.1.2 分析测试方法第26-27页
　　　　2.1.3 设备原理第27-28页
　　2.2 测试结果与讨论第28-33页
　　　　2.2.1 高能纳米球磨和水流分级后SiC的粒径分析第28-30页
　　　　2.2.2 粒度形貌分析第30-31页
　　　　2.2.3 SiC粒径分布图分析第31页
　　　　2.2.4 纯度分析第31-32页
　　　　2.2.5 表面形貌分析第32-33页
　　2.3 本章小结第33-35页
第3章 微波酸/碱对微纳米碳化硅提纯工艺研究第35-45页
　　3.1 实验材料、实验仪器、除杂原理第35-37页
　　　　3.1.1 实验材料第35-36页
　　　　3.1.2 试验装置和工艺原理介绍第36页
　　　　3.1.3 除杂原理第36-37页
　　3.2 Fe_2O_3的除杂实验第37-39页
　　　　3.2.1 酸的浓度对去除Fe_2O_3的影响第37-38页
　　　　3.2.2 反应温度对去除Fe_2O_3的影响第38页
　　　　3.2.3 反应时间Fe_2O_3去除率的影响第38-39页
　　　　3.2.4 固液比对Fe_2O_3去除率的影响第39页
　　3.3 Si及SiO_2的除杂实验第39-41页
　　　　3.3.1 碱浓度对Si及SiO_2去除率的影响第39-40页
　　　　3.3.2 温度对Si及SiO_2去除率的影响第40页
　　　　3.3.3 时间对Si及SiO_2去除率的影响第40-41页
　　　　3.3.4 固液比对Si及SiO_2去除率的影响第41页
　　3.4 正交试验第41-43页
　　3.5 除杂前后碳化硅的形貌第43页
　　3.6 除杂前后SiC成分分析第43-44页
　　3.7 本章小结第44-45页
第4章 SiC陶瓷烧结制备与表征第45-62页
　　4.1 实验材料、实验仪器、除杂原理第45-48页
　　　　4.1.1 实验材料第45页
　　　　4.1.2 实验仪器第45-46页
　　　　4.1.3 实验过程第46-48页
　　4.2 添入Al_2O_3对SiC陶瓷的影响第48-53页
　　　　4.2.1 低温超高压烧结对SiC密度和硬度的影响第48-50页
　　　　4.2.2 SiC物相组成第50-51页
　　　　4.2.3 SiC微观结构分析第51-53页
　　4.3 添入Al_2O_3-Y_2O_3粉对SiC陶瓷的影响第53-60页
　　　　4.3.1 物相分析第53-54页
　　　　4.3.2 密度和显微硬度第54-57页
　　　　4.3.3 微观结构第57-60页
　　4.4 本章小结第60-62页
第5章 结论第62-64页
参考文献第64-68页
致谢第68-69页
作者简介第69页

本篇论文共69页，点击这进入下载页面。
 
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