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电介质材料的介电行为研究
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电介质材料的介电行为研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第一章 绪论第10-21页
　　1.1 引言第10-14页
　　　　1.1.1 透波材料的性能要求第10-12页
　　　　1.1.2 透波天线罩材料的类型第12-14页
　　　　1.1.3 微波介电陶瓷材料的测试方法第14页
　　1.2 关于透波材料的国内外的研究背景第14-19页
　　　　1.2.1 多孔氮化硅陶瓷的国内外研究背景第14-16页
　　　　　　1.2.1.1 国外的多孔氮化硅陶瓷的研究背景第14-15页
　　　　　　1.2.1.2 国内的多孔氮化硅陶瓷的研究背景第15-16页
　　　　1.2.2 多孔二氧化硅陶瓷的国内外研究背景第16-17页
　　　　　　1.2.2.1 国外的多孔二氧化硅陶瓷的研究背景第16-17页
　　　　　　1.2.2.2 国内的多孔二氧化硅陶瓷的研究背景第17页
　　　　1.2.3 关于透波材料介电性能测试的研究现状第17-19页
　　　　　　1.2.3.1 谐振法的研究现状第17-18页
　　　　　　1.2.3.2 网络参数法的研究现状第18-19页
　　1.3 本文的研究目的和主要研究内容第19-21页
第二章 透波材料的介电行为第21-30页
　　2.1 电介质的介电常数模型第21-24页
　　　　2.1.1 电介质直流介电常数第21-23页
　　　　2.1.2 电介质复介电常数第23-24页
　　2.2 透波材料的介电损耗模型第24-25页
　　2.3 复合电介质的介电常数模型第25-28页
　　　　2.3.1 Maxwell-Wagner方程第25-26页
　　　　2.3.2 Bruggeman对称等效介质理论第26页
　　　　2.3.3 广义等效介质方程（GEM方程）第26-28页
　　2.4 复合电介质的介电损耗模型第28-30页
第三章 多孔氮化硅陶瓷的介电性能研究第30-37页
　　3.1 致密氮化硅陶瓷的介电常数分析第30-33页
　　3.2 致密氮化硅陶瓷的介电损耗分析第33-35页
　　3.3 多孔氮化硅陶瓷的介电常数分析第35页
　　3.4 多孔氮化硅陶瓷的介电损耗分析第35-36页
　　3.5 本章小结第36-37页
第四章 多孔二氧化硅陶瓷的介电性能研究第37-45页
　　4.1 二氧化硅的性质第37-38页
　　4.2 致密二氧化硅陶瓷的介电常数与介电损耗分析第38-43页
　　　　4.2.1 致密二氧化硅陶瓷的介电常数分析第38-42页
　　　　4.2.2 致密二氧化硅陶瓷的介电损耗分析第42-43页
　　4.3 多孔二氧化硅陶瓷的介电常数与介电损耗分析第43-44页
　　4.4 本章小结第44-45页
第五章 电介质的复合介电参数的测试原理第45-53页
　　5.1 高Q腔法测试复介电常数的理论基础第45-49页
　　　　5.1.1 分析圆柱谐振腔内部的电场第45-48页
　　　　5.1.2 高Q腔法测试机理第48-49页
　　5.2 带状线法测试复介电常数的理论基础第49-52页
　　　　5.2.1 TEM波在带状线模式下的分布情况第49-51页
　　　　5.2.2 带状线法测试系统的测试机理第51-52页
　　5.3 本章小结第52-53页
第六章 总结与展望第53-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-62页
攻读硕士期间取得的研究成果第62-63页

本篇论文共63页，点击这进入下载页面。
 
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