论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
abstract | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
1.1 电源管理IC的分类 | 第10-11页 |
1.2 LDO的发展趋势 | 第11-13页 |
1.2.1 高效率 | 第11页 |
1.2.2 无输出电容 | 第11-12页 |
1.2.3 低噪声和高PSRR | 第12页 |
1.2.4 快速瞬态响应 | 第12-13页 |
1.2.5 数字控制 | 第13页 |
1.3 课题研究的意义与背景 | 第13-14页 |
1.4 主要内容及章节安排 | 第14-15页 |
第二章 LDO线性稳压器的基础理论 | 第15-43页 |
2.1 LDO的结构和基本原理 | 第15-17页 |
2.1.1 基准模块 | 第15-16页 |
2.1.2 误差放大器 | 第16页 |
2.1.3 调整管 | 第16页 |
2.1.4 启动和保护模块 | 第16页 |
2.1.5 反馈网络 | 第16-17页 |
2.1.6 输出电容 | 第17页 |
2.2 LDO的参数指标 | 第17-26页 |
2.2.1 漏失电压(Dropout Voltage) | 第17-19页 |
2.2.2 静态电流(quiescent current) | 第19-20页 |
2.2.3 线性调整率(line regulation, LNR) | 第20页 |
2.2.4 负载调整率(Load Regulatoin, LDR) | 第20-21页 |
2.2.5 输出电压精度(Voltage Accuracy) | 第21-22页 |
2.2.6 电源抑制比(PSRR) | 第22-24页 |
2.2.7 LDO的噪声(Noise) | 第24-25页 |
2.2.8 效率(Efficiency) | 第25-26页 |
2.3 LDO的频率响应 | 第26-33页 |
2.3.1 LDO的频率特性 | 第26-29页 |
2.3.2 LDO的频率补偿 | 第29-33页 |
2.4 LDO的瞬态响应 | 第33-42页 |
2.4.1 瞬态过程分析 | 第33-36页 |
2.4.2 瞬态响应增强技术 | 第36-42页 |
2.5 本章小结 | 第42-43页 |
第三章 芯片子模块电路的设计与仿真 | 第43-66页 |
3.1 芯片的整体架构 | 第43页 |
3.2 带隙基准电路 | 第43-48页 |
3.2.1 带隙基准的基本原理 | 第43-45页 |
3.2.2 本文中的带隙基准电路 | 第45-47页 |
3.2.3 带隙基准电路的参数仿真 | 第47-48页 |
3.2.3.1 基准电压的温度系数和线性调整率仿真 | 第47-48页 |
3.2.3.2 带隙基准电压的PSRR仿真 | 第48页 |
3.3 基准电流源 | 第48-50页 |
3.3.1 基准电流源电路的设计 | 第48-50页 |
3.3.2 基准电流源的仿真 | 第50页 |
3.4 调整管元件 | 第50-53页 |
3.4.1 调整管元件的设计 | 第50-52页 |
3.4.2 调整管元件的仿真 | 第52-53页 |
3.5 缓冲级电路 | 第53-56页 |
3.5.1 缓冲级的电路设计 | 第53-56页 |
3.5.2 缓冲级电路的输出阻抗仿真 | 第56页 |
3.6 误差放大器 | 第56-59页 |
3.6.1 误差放大器的电路设计 | 第56-58页 |
3.6.2 误差放大器的仿真 | 第58-59页 |
3.7 过温保护电路 | 第59-61页 |
3.7.1 过温保护电路的设计 | 第59-60页 |
3.7.2 过温保护电路的仿真 | 第60-61页 |
3.8 过流保护电路 | 第61-62页 |
3.8.1 过流保护电路的设计 | 第61-62页 |
3.8.2 过流保护电路的仿真 | 第62页 |
3.9 环路补偿 | 第62-65页 |
3.10 本章小结 | 第65-66页 |
第四章 芯片整体电路的仿真 | 第66-73页 |
4.1 线性调整率 | 第66页 |
4.2 负载调整率 | 第66-67页 |
4.3 静态电流 | 第67页 |
4.4 漏失电压 | 第67-68页 |
4.5 上电时间仿真 | 第68页 |
4.6 负载瞬态特性仿真 | 第68-70页 |
4.7 线性瞬态特性仿真 | 第70页 |
4.8 环路稳定性 | 第70-72页 |
4.9 LDO的PSRR仿真 | 第72页 |
4.10 本章小结 | 第72-73页 |
第五章 总结 | 第73-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-77页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第77-78页 |