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碳化硅表面石墨烯脱附行为与去耦机制的理论研究

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碳化硅表面石墨烯脱附行为与去耦机制的理论研究
论文目录
 
摘要第1-5页
abstract第5-9页
第1章 引言第9-20页
  1.1 石墨烯简介第9-11页
    1.1.1 石墨烯的应用第9-11页
    1.1.2 石墨烯的结构第11页
  1.2 石墨烯的制备第11-12页
  1.3 SiC(0001)衬底上外延生长石墨烯第12-14页
  1.4 SiC(0001)表面石墨烯的脱附第14-16页
  1.5 石墨烯掺杂第16-18页
  1.6 本文主要的研究内容第18-20页
第2章 研究方法简介第20-24页
  2.1 密度泛函理论第20-22页
    2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似第20页
    2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第20-21页
    2.1.3 Khon-Sham方程第21页
    2.1.4 局域密度泛函近似(LDA)第21-22页
  2.2 第一性原理方法第22页
  2.3 过渡态理论第22-24页
    2.3.1 微动弹性带方法(NEB)第23页
    2.3.2 攀升图像微动弹性带方法(CI-NEB)第23-24页
第3章 气体分子在碳化硅表面的分解和扩散行为第24-33页
  3.1 引言第24-25页
  3.2 计算模型与方法第25页
  3.3 结果与分析第25-31页
    3.3.1 SiC(0001)表面O_2和H_2O的分解及扩散行为第25-27页
    3.3.2 SiC(0001)表面H_2的分解及扩散行为第27-28页
    3.3.3 SiC(0001)表面NH_3和N_2的裂解及扩散行为第28-31页
  3.4 本章结论第31-33页
第4章 边缘氢钝化对石墨烯脱附的影响第33-40页
  4.1 引言第33-34页
  4.2 计算模型与方法第34-35页
  4.3 结果与分析第35-39页
    4.3.1 石墨烯边缘的氢原子钝化第35-36页
    4.3.2 石墨烯边缘氢原子渗入的过程与机制第36-37页
    4.3.3 氢钝化石墨烯边缘和碳化硅衬底表面对石墨烯脱附的影响第37-39页
  4.4 本章结论第39-40页
第5章 H_2O和O_2对碳化硅表面石墨烯脱附过程的影响第40-47页
  5.1 引言第40-41页
  5.2 计算模型与方法第41-42页
  5.3 结果与分析第42-46页
    5.3.1 石墨烯/碳化硅界面氧原子的渗入行为第42-43页
    5.3.2 石墨烯/碳化硅界面氧原子渗入的机制:H_2O和O_2的影响第43-44页
    5.3.3 石墨烯/碳化硅界面氧原子的扩散行为第44-46页
  5.4 本章结论第46-47页
第6章 总结与展望第47-49页
  6.1 总结第47-48页
  6.2 展望第48-49页
参考文献第49-54页
致谢第54-55页
个人简历、在学期间完成的论文和科研情况第55页

本篇论文共55页,点击这进入下载页面
 
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