卤素硼酸盐材料的电子结构-性能的DFT研究 |
论文目录 | | 摘要 | 第1-4页 | Abstract | 第4-8页 | 第一章 绪论 | 第8-18页 | 1.1 晶体的非线性光学效应 | 第8-9页 | 1.2 非线性光学材料的简介 | 第9-11页 | 1.3 卤素硼酸盐研究背景和研究现状 | 第11-15页 | 1.4 非线性光学材料的几种理论模型 | 第15-17页 | 1.5 研究内容及意义 | 第17-18页 | 第二章 计算方法简介 | 第18-24页 | 2.1 第一性原理计算 | 第18-19页 | 2.2 密度泛函理论(DFT) | 第19-20页 | 2.3 交换关联能 | 第20页 | 2.4 赝势 | 第20-21页 | 2.5 光学性质的计算细节 | 第21-24页 | 2.5.1 线性光学性质 | 第21-22页 | 2.5.2 二阶非线性效应的计算与分析方法 | 第22-24页 | 第三章 理论研究ANa_2B_6O_(13)X (A = Na, Rb; X = Cl, Br)体系中离子之间替换对光学性质的影响 | 第24-38页 | 3.1 引言 | 第24页 | 3.2 关键计算细节 | 第24-25页 | 3.3 晶体结构 | 第25-28页 | 3.4 离子替换对带隙的影响 | 第28-33页 | 3.5 离子替换对双折射率的影响 | 第33-36页 | 3.6 小结 | 第36-38页 | 第四章 基于密度泛函理论预测卤素硼酸盐Mg_3B_7O_(13)Cl的光学性质 | 第38-50页 | 4.1 引言 | 第38-39页 | 4.2 方硼石矿结构 | 第39-40页 | 4.3 关键计算细节 | 第40-41页 | 4.4 电子能带结构分析 | 第41-43页 | 4.5 倍频效应的来源分析 | 第43-46页 | 4.6 相位匹配情况 | 第46-49页 | 4.7 小结 | 第49-50页 | 第五章 运用第一性原理研究BMO_4 (M = P, As)体系中大带隙和大倍频的平衡机理 | 第50-59页 | 5.1 引言 | 第50-51页 | 5.2 关键计算细节 | 第51页 | 5.3 晶体结构与光学性质 | 第51-52页 | 5.4 决定带隙的原因 | 第52-54页 | 5.5 倍频来源及其增强机理 | 第54-57页 | 5.6 双折射率增强机理 | 第57-58页 | 5.7 小结 | 第58-59页 | 第六章 总结与展望 | 第59-61页 | 6.1 总结 | 第59页 | 6.2 展望 | 第59-61页 | 参考文献 | 第61-73页 | 附录 | 第73-74页 | 致谢 | 第74-76页 |
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