硅纳米结构阵列的制备及其光学性能研究

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硅纳米结构阵列的制备及其光学性能研究

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硅纳米结构阵列的制备及其光学性能研究

论文目录
摘要	第5-7页
ABSTRACT	第7-12页
第一章绪论	第12-26页
1.1 前言	第12-13页
1.2 黑硅及其制备方法	第13-22页
1.2.1 湿法刻蚀	第15-16页
1.2.2 反应离子刻蚀	第16-18页
1.2.3 飞秒激光刻蚀	第18-19页
1.2.4 气-液-固生长	第19-21页
1.2.5 金属辅助的化学刻蚀	第21-22页
1.3 金属纳米阵列及其制备方法	第22-25页
1.3.1 电子束曝光	第22-23页
1.3.2 聚焦离子束刻蚀	第23页
1.3.3 纳米压印技术	第23-24页
1.3.4 纳米球刻印	第24-25页
1.4 本文的主要研究内容	第25-26页
第二章基于纳米球刻印法可控制备金纳米结构阵列	第26-46页
2.1 引言	第26-27页
2.2 金纳米孔阵列的按需制备	第27-35页
2.2.1 硅片的清洗	第27-29页
2.2.2 单层密排纳米球阵列的制备	第29-30页
2.2.3 非密排PS球模板的按需制备	第30-33页
2.2.4 电子束蒸发制备Au纳米孔阵列	第33-35页
2.3 金纳米圆盘阵列的可控制备	第35-42页
2.3.1 金纳米圆盘阵列的制备方法	第35-37页
2.3.2 磁控溅射中Ar离子对PS球的损伤	第37-38页
2.3.3 高质量、可控金纳米圆盘阵列的形成	第38-42页
2.4 金纳米环阵列的制备	第42-44页
2.4.1 金环的阵列的发现和形成机理	第42-43页
2.4.2 不同周期与尺寸金环阵列的制备	第43-44页
2.5 本章小结	第44-46页
第三章金属辅助的化学刻蚀制备硅纳米结构阵列	第46-62页
3.1 引言	第46-47页
3.2 MACE法按需制备硅纳米线阵列	第47-52页
3.2.1 MACE技术及其刻蚀影响因素	第47-49页
3.2.2 指定直径的硅纳米线阵列的实现	第49-50页
3.2.3 低填充比的Si纳米线阵列的制备	第50-52页
3.3 硅纳米孔阵列的可控制备	第52-58页
3.3.1 硅纳米孔阵列的制备方法	第52-54页
3.3.2 Au圆盘刻蚀方向影响因素的控制	第54-57页
3.3.3 不同尺寸的硅纳米孔阵列的制备	第57-58页
3.4 硅纳米孔中线阵列制备的初步探索	第58-59页
3.5 本章小结	第59-62页
第四章硅纳米线和纳米孔阵列的光学性能研究	第62-72页
4.1 引言	第62-63页
4.2 硅纳米线阵列的光学性能研究	第63-67页
4.2.1 理论模拟方法	第63-64页
4.2.2 Si NWAs光学性能的仿真和实验结果分析	第64-67页
4.3 硅纳米孔阵列的光学性能研究	第67-70页
4.3.1 Si NHAs光学性能的仿真和实验结果分析	第67-68页
4.3.2 Si NWAs和Si NHAs的光学性能对比	第68-70页
4.4 本章小结	第70-72页
第五章全文总结	第72-74页
参考文献	第74-82页
致谢	第82-84页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果	第84页

本篇论文共84页，点击这进入下载页面。

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