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光电集成中异质兼容的晶片键合技术及纳米线生长技术研究

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光电集成中异质兼容的晶片键合技术及纳米线生长技术研究
论文目录
 
摘要第1-5 页
ABSTRACT第5-7 页
目录第7-9 页
第一章 绪论第9-12 页
  · 研究的背景和意义第9-11 页
  · 论文的结构安排第11-12 页
第二章 键合技术综述第12-34 页
  · 引言第12-13 页
  · 晶片键合技术的基本原理与工艺过程第13-19 页
    · 晶片键合技术的理论依据第13-14 页
    · 晶片键合技术的趋势与低温键合过程第14-19 页
  · 晶片键合技术的主要应用第19-22 页
  · 晶片键合的热应力的影响及解决途径第22-25 页
  · 低温晶片键合技术的实验研究第25-33 页
    · Si/InP表面活化低温晶片键合过程第25-27 页
    · Si/InP键合界面形貌分析第27-28 页
    · I-V特性测试第28-30 页
    · 二次离子质谱(SIMS)第30-31 页
    · X射线光电子能谱(XPS)第31-33 页
  · 本章小结第33-34 页
第三章 纳米线生长技术的研究第34-51 页
  · 引言第34-35 页
  · 纳米线的性质第35-40 页
    · 量子限制效应第36-37 页
    · 结构和力学性质第37 页
    · 热性能第37-38 页
    · 电子传输性质第38 页
    · 光学性质第38-39 页
    · 化学与生物传感性质第39-40 页
    · 声学性质第40 页
    · 磁学性质第40 页
  · 纳米线的生长技术第40-44 页
    · 气液固法(VLS)第40-41 页
    · 激光辅助生长法第41-42 页
    · 热蒸发第42-43 页
    · 金属催化分子束外延第43 页
    · 溶液法第43-44 页
  · InP纳米线生长实验的研究分析第44-50 页
    · MBE纳米线生长过程研究第44-45 页
    · MOCVD纳米线生长过程研究第45-46 页
    · InP纳米线生长及其形态分析第46-50 页
  · 本章小结第50-51 页
第四章 结论与展望第51-53 页
参考文献第53-56 页
致谢第56-58 页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第58页

本篇论文共58页,点击这进入下载页面
 
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