离子注入杂质与缺陷间的相互作用—硕士毕业论文下载

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离子注入杂质与缺陷间的相互作用

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离子注入杂质与缺陷间的相互作用

论文目录
第一章引言	第10-13页
· 微电子工艺的发展概述	第10-11页
· 工艺模拟的必要性	第11-13页
第二章集成电路工艺基础	第13-28页
· 扩散原理	第13-119页
· 一维费克扩散方程	第14-15页
· 扩散的原子模型	第15-17页
· 扩散分布的SUPREM模拟	第17-19页
· 小结	第19-119页
· 离子注入	第119-28页
· 离子注入系统	第19-20页
· 库仑散射	第20-21页
· 沟道效应和横向投影射程	第21-22页
· 注入损伤	第22-25页
· 浅结的形成	第25-26页
· 用SUPREM模拟注入的分布	第26-27页
· 小结	第27-28页
第三章杂质原子与扩展缺陷的相互作用	第28-37页
· 离子注入缺陷	第28页
· 杂质在缺陷周围的析出	第28-37页
· 具有恒定硼浓度硅片中硼的析出实验	第28-37页
第四章硼在Rp缺陷的析出	第37-55页
· 硼在Rp缺陷的析出实验	第37-44页
· 硼在Rp缺陷的析出模型	第44-55页
· 研究背景	第45-46页
· 析出模型	第46-55页
结论	第55-56页
参考文献	第56-58页
致谢	第58-59页
附录	第59-65页
个人简历	第65 页

本篇论文共65页，点击这进入下载页面。

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