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离子注入杂质与缺陷间的相互作用
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离子注入杂质与缺陷间的相互作用
论文目录
第一章 引言
第10-13页
· 微电子工艺的发展概述
第10-11页
· 工艺模拟的必要性
第11-13页
第二章 集成电路工艺基础
第13-28页
· 扩散原理
第13-119页
· 一维费克扩散方程
第14-15页
· 扩散的原子模型
第15-17页
· 扩散分布的SUPREM模拟
第17-19页
· 小结
第19-119页
· 离子注入
第119-28页
· 离子注入系统
第19-20页
· 库仑散射
第20-21页
· 沟道效应和横向投影射程
第21-22页
· 注入损伤
第22-25页
· 浅结的形成
第25-26页
· 用SUPREM模拟注入的分布
第26-27页
· 小结
第27-28页
第三章 杂质原子与扩展缺陷的相互作用
第28-37页
· 离子注入缺陷
第28页
· 杂质在缺陷周围的析出
第28-37页
· 具有恒定硼浓度硅片中硼的析出实验
第28-37页
第四章 硼在Rp缺陷的析出
第37-55页
· 硼在Rp缺陷的析出实验
第37-44页
· 硼在Rp缺陷的析出模型
第44-55页
· 研究背景
第45-46页
· 析出模型
第46-55页
结论
第55-56页
参考文献
第56-58页
致谢
第58-59页
附录
第59-65页
个人简历
第65 页
本篇论文共
65
页,
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